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束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司

束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司自成立以來,憑借與德國布魯克(BRUKER)、衍射數(shù)據(jù)中心(ICDD)、德國Freiberg等實(shí)驗(yàn)室分析儀器品牌的戰(zhàn)略合作,迅速成為業(yè)界儀器供應(yīng)商。我們擁有一支積極樂觀,正直誠信的年輕團(tuán)隊(duì),我們熱忱的信仰科學(xué),相信科學(xué)技術(shù)能為我們的客戶帶來高品質(zhì)的生活,為社會(huì)的進(jìn)步起到積極的促進(jìn)作用。束蘊(yùn)儀器為各類客戶提供優(yōu)質(zhì)的實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)檢測(cè)儀器及過程控制設(shè)備,專業(yè)的應(yīng)用支持及完善的售后服務(wù),在中國大陸的諸多領(lǐng)域擁有大量用戶,如高校、科研院所、航空航天,政府組織、檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)、及工業(yè)企業(yè)。...

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技術(shù)文章

進(jìn)一步提高公司的技術(shù)、質(zhì)量和服務(wù)

  • 技術(shù)文章 2025-03-05
    對(duì)于復(fù)雜地質(zhì)樣品,多晶X射線衍射儀然后進(jìn)行有效的分離和鑒定?

    對(duì)于復(fù)雜地質(zhì)樣品,電子多晶X射線衍射儀(XRD)是一種非常有效的分離和鑒定工具。以下是使用XRD對(duì)復(fù)雜地質(zhì)樣品進(jìn)行有效分離和鑒定的一般步驟:一、樣品準(zhǔn)備1、粉碎與研磨首先將復(fù)雜地質(zhì)樣品粉碎成細(xì)顆粒,通常需要使用研缽和研杵,或者球磨機(jī)等設(shè)備。粉碎后的顆粒尺寸應(yīng)符合XRD分析的要求,一般在微米級(jí)別,這樣能保證樣品具有足夠的表面積,使X射線能夠充分照射到晶體的各個(gè)面,獲得準(zhǔn)確的衍射信息。2、篩分與提純(可選)根據(jù)樣品的性質(zhì)和研究目的,可能需要進(jìn)行篩分以分離出特定粒徑范圍的顆粒。如果...

  • 技術(shù)文章 2025-03-04
    BiasMDP 技術(shù)搭配MDPmap設(shè)備,開啟表面鈍化檢測(cè)新方式

    BiasMDP技術(shù)搭配MDPmap設(shè)備,開啟表面鈍化檢測(cè)新方式在能源產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,追求更高效率的太陽能電池成為行業(yè)核心目標(biāo)。而這其中,表面鈍化技術(shù)的優(yōu)劣起著決定性作用。要深入理解和優(yōu)化表面鈍化,精準(zhǔn)測(cè)量固定電荷和界面缺陷密度這兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)至關(guān)重要。為大家介紹一項(xiàng)行業(yè)變革的創(chuàng)新技術(shù)——基于微波探測(cè)光電導(dǎo)衰減法(MDP)的BiasMDP技術(shù),這一技術(shù)在實(shí)驗(yàn)測(cè)量環(huán)節(jié),F(xiàn)reibergInstruments公司的MDPmap型號(hào)設(shè)備發(fā)揮了重要作用。在BiasMDP技術(shù)出現(xiàn)之前,...

  • 技術(shù)文章 2025-03-04
    MDP 技術(shù)-硅錠質(zhì)量評(píng)估的 “透視眼”

    MDP技術(shù)-硅錠質(zhì)量評(píng)估的“透視眼”在光伏生產(chǎn)鏈中,硅錠材料質(zhì)量評(píng)估對(duì)晶體生長者優(yōu)化結(jié)晶過程、電池、芯片制造商篩選材料以降本增效極為重要。傳統(tǒng)依賴最終效率的反饋方式存在諸多不足,MDP技術(shù)則為早期質(zhì)量評(píng)估提供了新途徑。FreibergInstruments相關(guān)技術(shù)或設(shè)備助力實(shí)現(xiàn)用MDP技術(shù)在硅磚四個(gè)側(cè)面以1mm分辨率測(cè)量空間壽命和電阻率圖像。這種測(cè)量具有非接觸、可在線操作且無需校準(zhǔn)的優(yōu)勢(shì)。MDP技術(shù)能夠?qū)уV的空間分辨載流子壽命和電阻率進(jìn)行測(cè)量,其測(cè)量過程為非接觸式,可在生產(chǎn)...

  • 技術(shù)文章 2025-02-26
    應(yīng)用分享 | SkyScan2214助力揭秘甲磺酸多沙唑嗪緩釋片釋放機(jī)制(XRM)

    由來自國家食品藥品監(jiān)督管理局相關(guān)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、中國藥科大學(xué)、中國科學(xué)院上海藥物研究所等機(jī)構(gòu)的眾多科研人員組成的團(tuán)隊(duì),結(jié)合體外溶出實(shí)驗(yàn)與三維X射線斷層掃描結(jié)構(gòu)表征的研究方法,開展了甲磺酸多沙唑嗪緩釋片相關(guān)研究。文章中,研究人員運(yùn)用Bruker納米級(jí)三維X射線顯微鏡(NanoCT)SkyScan2214剖析了藥物結(jié)構(gòu)與釋放動(dòng)力學(xué)關(guān)系,為口服控釋仿制藥研發(fā)和質(zhì)量控制提供了重要依據(jù)。該文章于2024年9月21日成功發(fā)表于AsianJournalofPharmaceuticalScien...

  • 技術(shù)文章 2025-02-26
    應(yīng)用分享 | 評(píng)估紫光受激發(fā)光方案的測(cè)年潛力(Lexsyg釋光探測(cè)器)

    lexsyg釋光探測(cè)器||在地質(zhì)測(cè)年領(lǐng)域應(yīng)用分享突破測(cè)年極限!紫光激發(fā)發(fā)光技術(shù)新進(jìn)展,lexsyg系統(tǒng)助力古老沉積物測(cè)年研究這篇由牛津大學(xué)與伍倫貢大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)發(fā)表的研究,為石英測(cè)年技術(shù)帶來了重要突破。團(tuán)隊(duì)使用德國FreibergInstruments的lexsygresearchsystem高精度發(fā)光測(cè)量系統(tǒng),對(duì)紫色受激發(fā)光(VSL)測(cè)年法展開系統(tǒng)性驗(yàn)證,揭示了該技術(shù)在突破傳統(tǒng)測(cè)年上限中的潛力與挑戰(zhàn)。創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)研究選取歐洲4處考古遺址樣本(年代跨度40-900ka),通過對(duì)...

  • 技術(shù)文章 2025-02-19
    應(yīng)用分享|深能級(jí)缺陷表征- MDPICTS

    在半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用中,缺陷表征至關(guān)重要。特別是在中子嬗變摻雜(NTD)硅的處理過程中,了解其輻射誘導(dǎo)缺陷對(duì)于優(yōu)化退火條件、提升材料性能意義非凡。FreibergInstruments公司的微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)光譜法(MDPICTS)技術(shù)(如圖1),為這一領(lǐng)域帶來了新的突破,展現(xiàn)出諸多傳統(tǒng)技術(shù)難以企及的優(yōu)點(diǎn)。NTD硅,因能實(shí)現(xiàn)極低的電阻率變化,在大面積輻射探測(cè)器制造中占據(jù)重要地位。然而,摻雜后的硅晶體因輻射產(chǎn)生大量缺陷,實(shí)際電阻率遠(yuǎn)超預(yù)期,退火成為必要環(huán)節(jié)。在此過程中,準(zhǔn)...

  • 技術(shù)文章 2025-02-19
    全新臺(tái)式 D6 PHASER應(yīng)用報(bào)告系列(九)—對(duì)分布函數(shù)(PDF)分析XRD

    對(duì)分布函數(shù)(PairDistributionFunction,PDF)分析是一種描述材料中原子之間距離分布的方法,它可以給出原子間距離分布或者相距r的原子對(duì)的“概率”。對(duì)于長程有序的結(jié)晶材料,根據(jù)布拉格衍射幾何,可以很容易得到材料對(duì)應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)信息,而對(duì)于短程有序或者無序的材料,比如非晶、液體等,布拉格衍射給出的信息非常有限(往往是很寬的漫散峰,甚至沒有峰),這時(shí)借助PDF分析可以得到更多的細(xì)節(jié)信息。傳統(tǒng)上,PDF測(cè)試只能在大型落地式衍射儀上進(jìn)行,臺(tái)式衍射儀通常用于簡(jiǎn)單的測(cè)試...

  • 技術(shù)文章 2025-02-18
    電子順磁共振波譜儀的養(yǎng)護(hù)細(xì)節(jié)

    電子順磁共振波譜儀的養(yǎng)護(hù)細(xì)節(jié)涉及環(huán)境條件、電源管理、定期檢查與維護(hù)、樣品處理與存放以及軟件維護(hù)等多個(gè)方面。只有做好這些養(yǎng)護(hù)工作,才能確保儀器的正常運(yùn)行和延長使用壽命。以下是電子順磁共振波譜儀的養(yǎng)護(hù)細(xì)節(jié):1.環(huán)境條件-溫度與濕度:儀器應(yīng)放置在溫度、濕度相對(duì)穩(wěn)定的環(huán)境中,一般溫度保持在15℃-30℃,相對(duì)濕度在20%-80%為宜。避免將儀器放置在潮濕、高溫或陽光直射的地方,以免影響儀器的性能和壽命。例如,在潮濕的環(huán)境中,儀器內(nèi)部的電子元件可能會(huì)受潮生銹,導(dǎo)致電路故障;而高溫環(huán)境可...

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